2SK4177-DL-E
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SK4177-DL-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SK4177-DL-E-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount SMP-FD

Αποθέμα:

12833073
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SK4177-DL-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
380 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
80W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SMP-FD
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
2SK4177

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

BUK9Y19-100E,115

MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56

nexperia

PSMN3R4-30BL,118

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

nexperia

PSMN1R1-30EL,127

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

nexperia

PMV50UPEVL

MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB