2SK3820-DL-E

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SK3820-DL-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SK3820-DL-E-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 100 V 26A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount SMP-FD

Αποθέμα:

RFQ Online

12833287

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SK3820-DL-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

26A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

60mOhm @ 13A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

-

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

44 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2150 pF @ 20 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.65W (Ta), 50W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SMP-FD

Συσκευασία / Θήκη

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Βασικός αριθμός προϊόντος

2SK3820

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

2SK3820-DL-E-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

1,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

5LP01C-TB-H

MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP

onsemi

5HN01C-TB-H

MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

nexperia

BUK7C10-75AITE,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

onsemi

ATP204-TL-H

MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK