Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SK3746-1E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SK3746-1E-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 2.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Αποθέμα:
12834687
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SK3746-1E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
380 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P-3L
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
2SK3746
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
2SK3746-1E-DG
2SK3746-1EOS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5608
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTL2N450
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
199
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTL2N450-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
103.56
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
AUIRF8736M2TR
MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
