2SK1459LS
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SK1459LS

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SK1459LS-DG

Περιγραφή:

N-CHANNEL SILICON MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220FI(LS)

Αποθέμα:

1143 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12933614
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SK1459LS Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
350 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FI(LS)
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
152
Άλλα ονόματα
2156-2SK1459LS
ONSONS2SK1459LS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
harris-corporation

IRF626

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK1401A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF9522

P-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET