Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SJ665-DL-E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SJ665-DL-E-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount SMP-FD
Αποθέμα:
12833802
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SJ665-DL-E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SMP-FD
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
2SJ665
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FQB34P10TM
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FQB34P10TM-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NX3008PBKVL
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
2SK3746
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PB
AUIRFR6215TRL
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
