2SJ632-TD-E
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SJ632-TD-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SJ632-TD-E-DG

Περιγραφή:

2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Λεπτομερής Περιγραφή:

Αποθέμα:

12073 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967808
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SJ632-TD-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
*
Κατάσταση προϊόντος
Active

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
720
Άλλα ονόματα
2156-2SJ632-TD-E-488

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Vendor Undefined
Κατάσταση REACH
REACH Affected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
harris-corporation

RF1S530SM9A

14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

HUF76132P3

75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO

infineon-technologies

IPA037N08N3

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

nxp-semiconductors

PMXB350UPEZ

NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH