2SD863E-AE
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SD863E-AE

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SD863E-AE-DG

Περιγραφή:

BIP NPN 1A 50V
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP

Αποθέμα:

9000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12936535
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SD863E-AE Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
1 A
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
1µA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
100 @ 50mA, 2V
Ισχύς - Μέγιστη
900 mW
Συχνότητα - Μετάβαση
150MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
-
Προσόν
-
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-MP

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,219
Άλλα ονόματα
ONSONS2SD863E-AE
2156-2SD863E-AE

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
Not applicable
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

TH00483

SS TO39 GP PNP XSTR

onsemi

2SD2176-TD-E

NPN 1.2A 50V DARLINGTON

onsemi

2SD2198S-DL-E

BIP NPN 5A 50V

onsemi

2SD1724T

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN