Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SD734F
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SD734F-DG
Περιγραφή:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Αποθέμα:
39500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12976780
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SD734F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος τρανζίστορ
NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
700 mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
20 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
1µA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
160 @ 50mA, 2V
Ισχύς - Μέγιστη
600 mW
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-NP
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,219
Άλλα ονόματα
2156-2SD734F
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
