Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SC3596E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SC3596E-DG
Περιγραφή:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 300 mA 700MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Αποθέμα:
17014 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12931590
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SC3596E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
300 mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
60 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
600mV @ 10mA, 100mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
100 @ 50mA, 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.2 W
Συχνότητα - Μετάβαση
700MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
-
Προσόν
-
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-225AA, TO-126-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-126
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
437
Άλλα ονόματα
ONSONS2SC3596E
2156-2SC3596E
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
Not applicable
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2SC3458L
NPN SILICON TRANSISTOR
2SC3956E
NPN SILICON TRANSISTOR
2SA1338-5-TB-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
