Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SB1216T-E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SB1216T-E-DG
Περιγραφή:
TRANS PNP 100V 4A TP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Αποθέμα:
12837039
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SB1216T-E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος τρανζίστορ
PNP
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
4 A
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
100 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
1µA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
200 @ 500mA, 5V
Ισχύς - Μέγιστη
1 W
Συχνότητα - Μετάβαση
130MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TP
Βασικός αριθμός προϊόντος
2SB1216
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SB1216S-TL-E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1071
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SB1216S-TL-E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
