Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2N7000-D26Z
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2N7000-D26Z-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Αποθέμα:
14242 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12835294
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2N7000-D26Z Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N7000
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
2N7000-D26ZTR
2N7000_D26ZDKR-DG
2N7000_D26ZDKRINACTIVE-DG
2N7000_D26Z-DG
2N7000-D26ZDKRINACTIVE
2N7000D26Z
2N7000_D26ZCT
ONSONS2N7000-D26Z
2N7000_D26ZCT-DG
2N7000-D26ZCT
2N7000_D26Z
2N7000_D26ZTR
2N7000_D26ZTR-DG
2156-2N7000-D26Z-OS
2N7000_D26ZDKRINACTIVE
2N7000_D26ZDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
3LP01SS-TL-EX
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP
CPH6443-TL-H
MOSFET N-CH 35V 6A 6CPH
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
