Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN009-100P,127
Product Overview
Κατασκευαστής:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN009-100P,127-DG
Περιγραφή:
NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
291 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967872
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN009-100P,127 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
NXP Semiconductors
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
75A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
230W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
192
Άλλα ονόματα
2156-PSMN009-100P,127-954
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTNS41006PZTCG
NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA
IRF122
8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
FDI9406-F085
FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH