Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PHN203,518
Product Overview
Κατασκευαστής:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PHN203,518-DG
Περιγραφή:
NEXPERIA PHN203 - SMALL SIGNAL F
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
2200 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12968015
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PHN203,518 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
NXP Semiconductors
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.6nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
560pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
-
Προσόν
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,210
Άλλα ονόματα
2156-PHN203,518-954
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Vendor Undefined
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RZM001P02T2CL
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
AON5802BG
MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN
EM6M2T2CR
MOSFET N/P-CH 20V EMT6
