Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
Κατασκευαστής:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PHB18NQ10T,118-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
1966 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12947130
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
8ise
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PHB18NQ10T,118 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
NXP Semiconductors
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
633 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
79W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
671
Άλλα ονόματα
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
FDP7030BL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDP100N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
