Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTE2018
Product Overview
Κατασκευαστής:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTE2018-DG
Περιγραφή:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Αποθέμα:
22 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950372
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTE2018 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Δίπολοι Τρανζίστορ Σειρές
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
8 NPN Darlington
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
600mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
-
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-20°C ~ 85°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
18-PDIP
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTE20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
2368-NTE2018
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
