Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTE857M
Product Overview
Κατασκευαστής:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTE857M-DG
Περιγραφή:
IC OPAMP JFET 1 CIRC 8MINI DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
J-FET Amplifier 1 Circuit 8-Mini DIP
Αποθέμα:
27 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950387
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTE857M Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Ενισχυτές, Οργάνωση, Ενισχυτές Ολικής Αρμονικής, Ενισχυτές Ταξινόμησης
Κατασκευαστής
NTE Electronics, Inc.
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος ενισχυτή
J-FET
Αριθμός κυκλωμάτων
1
Τύπος εξόδου
-
Ρυθμός περιστροφής
13V/µs
Προϊόν κέρδους εύρους ζώνης
4 MHz
Ρεύμα - Μεροληψία εισόδου
80 pA
Τάση - Μετατόπιση εισόδου
2 mV
Ρεύμα - Τροφοδοσία
1.4mA
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (ελάχ.)
36 V
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (μέγ.)
36 V
Θερμοκρασία λειτουργίας
0°C ~ 70°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Mini DIP
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
2368-NTE857M
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
LM358BIDGKR
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8VSSOP
OPA391DCKR
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5
TLV9002SIYCKR
IC CMOS 2 CIRCUIT 9DSBGA
