Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN7R8-120PSQ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN7R8-120PSQ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Αποθέμα:
12828253
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN7R8-120PSQ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
120 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
349W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN7R8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
1727-1816
568-11431-5
934067448127
PSMN7R8-120PSQ-DG
568-11431-5-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP076N12N3GXKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
261
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP076N12N3GXKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMPB40SNA,115
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
BUK764R0-40E,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
BSP126,115
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
