Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN6R9-100YSFX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN6R9-100YSFX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 238W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
1278 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12830137
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN6R9-100YSFX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
238W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN6R9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-PSMN6R9-100YSFQCT
PSMN6R9-100YSFQ
934071219115
1727-PSMN6R9-100YSFXDKR
1727-PSMN6R9-100YSFXCT
PSMN6R9-100YSFX-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQDKR
5202-PSMN6R9-100YSFXTR
PSMN6R9-100YSFQ-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQTR
1727-PSMN6R9-100YSFXTR
1727-PSMN6R9-100YSFQCT-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQTR-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQDKR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSH108,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
BUK9Y113-100E,115
MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
BSH114,215
MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB