Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN6R1-30YLDX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN6R1-30YLDX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 66A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
2663 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12919489
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN6R1-30YLDX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
66A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
817 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
47W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN6R1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
568-11434-2-DG
568-11434-2
568-11434-1
1727-1818-6
568-11434-6-DG
1727-1818-2
1727-1818-1
934067798115
568-11434-1-DG
568-11434-6
5202-PSMN6R1-30YLDXTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SUM60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO263
SI7674DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SUM85N15-19-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO263