Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN4R2-80YSEX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN4R2-80YSEX-DG
Περιγραφή:
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 170A (Ta) 294W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
1976 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12966914
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN4R2-80YSEX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
170A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8000 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
294W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-PSMN4R2-80YSEDKR
1727-PSMN4R2-80YSEXCT
1727-PSMN4R2-80YSEXTR
1727-PSMN4R2-80YSETR-DG
1727-PSMN4R2-80YSECT-DG
1727-PSMN4R2-80YSEDKR-DG
934662576115
1727-PSMN4R2-80YSEXDKR
1727-PSMN4R2-80YSETR
5202-PSMN4R2-80YSEXTR
1727-PSMN4R2-80YSECT
PSMN4R2-80YSE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SSM3K72KFS,LXHF
AUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH
MCB160N10Y-TP
MOSFET N-CH D2-PAK
MCAC90N06Y-TP
MOSFET N-CH DFN5060
