Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN3R9-100YSFX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN3R9-100YSFX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 120A (Ta) 245W (Ta) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Αποθέμα:
15186 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13140453
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN3R9-100YSFX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7360 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
245W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56; Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN3R9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
934660621115
1727-PSMN3R9-100YSFXTR
1727-PSMN3R9-100YSFXDKR
1727-PSMN3R9-100YSFXCT
5202-PSMN3R9-100YSFXTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMPB16EPX
MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6
PSMNR51-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
PSMN1R8-30MLHX
MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33