Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN3R2-40YLDX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN3R2-40YLDX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 115W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
2980 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13270263
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN3R2-40YLDX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.05V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4103 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Body)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
115W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN3R2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-PSMN3R2-40YLDXDKR
5202-PSMN3R2-40YLDXTR
934660741115
1727-PSMN3R2-40YLDXCT
1727-PSMN3R2-40YLDXTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN2R2-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
PSMN1R7-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
PMPB20XPEZ
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
