Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN2R8-80BS,118
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN2R8-80BS,118-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
51094 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12919846
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN2R8-80BS,118 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9961 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
306W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN2R8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
1727-7107-1
PSMN2R880BS118
568-9477-6
568-9477-2-DG
934065176118
568-9477-1-DG
1727-7107-6
568-9477-1
568-9477-2
568-9477-6-DG
5202-PSMN2R8-80BS,118TR
1727-7107-2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHP22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
SIE868DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
