Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN2R4-30YLDX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN2R4-30YLDX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
3328 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12827405
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN2R4-30YLDX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
31.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2256 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
106W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN2R4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
568-11375-6-DG
568-11375-1
5202-PSMN2R4-30YLDXTR
1727-1792-2
1727-1792-1
1727-1792-6
2156-PSMN2R4-30YLDX-NEX
NEXNEXPSMN2R4-30YLDX
568-11375-2-DG
568-11375-2
934067965115
568-11375-1-DG
568-11375-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN021-100YLX
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
BUK7M12-60EX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
PMPB12UNEAX
MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6