Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN2R0-60PSRQ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN2R0-60PSRQ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
12829669
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN2R0-60PSRQ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
192 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13500 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
338W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN2R0
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
934068472127
5202-PSMN2R0-60PSRQTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT260L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3440
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT260L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMCM4401UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP
BUK7613-75B,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
BUK7E3R1-40E,127
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK