Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN1R9-40YSDX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN1R9-40YSDX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 194W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
1007 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13270305
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN1R9-40YSDX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6198 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Body)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
194W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN1R9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-PSMN1R9-40YSDXDKR
5202-PSMN1R9-40YSDXTR
934660733115
1727-PSMN1R9-40YSDXCT
1727-PSMN1R9-40YSDXTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
N0605N#YW
MOSFET N-CHANNEL
STF16N90K5
MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
BSM300C12P3E301
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
