Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN1R8-80SSFJ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN1R8-80SSFJ-DG
Περιγραφή:
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 270A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
Αποθέμα:
1870 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12993033
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN1R8-80SSFJ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
270A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15319 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
341W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK88 (SOT1235)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1235
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN1R8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
1727-PSMN1R8-80SSFJCT
1727-PSMN1R8-80SSFJDKR
934662271118
1727-PSMN1R8-80SSFJTR
5202-PSMN1R8-80SSFJTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN2R3-100SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
PSMN2R0-100SSFJ
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
DMN4060SVTQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TSOT26 T&R
