Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN1R3-30YL,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN1R3-30YL,115-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 121W (Tc) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Αποθέμα:
11738 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12831053
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN1R3-30YL,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.15V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6227 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
121W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56; Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN1R3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-4276-6
568-4908-1-DG
934063811115
568-4908-1
568-4908-2-DG
568-4908-6-DG
1727-4276-1
5202-PSMN1R3-30YL,115TR
568-4908-2
1727-4276-2
568-4908-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMPB20XNEAX
MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
PSMN4R3-100ES,127
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
BUK7Y14-80EX
MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
