PSMN1R1-30YLEX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PSMN1R1-30YLEX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PSMN1R1-30YLEX-DG

Περιγραφή:

PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 265A (Ta) 192W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Αποθέμα:

1493 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12992358
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PSMN1R1-30YLEX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
265A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.26mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6317 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
192W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
934664064115
1727-PSMN1R1-30YLEXCT
1727-PSMN1R1-30YLEXTR
5202-PSMN1R1-30YLEXTR
1727-PSMN1R1-30YLEXDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6086YNZC17

NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF

onsemi

NTMFS4935NT1G-IRH1

NTMFS4935NT1G-IRH1

icemos-technology

ICE60N130FP

Superjunction MOSFET

vishay-siliconix

SIHG15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST