Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN0R7-25YLDX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN0R7-25YLDX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 25 V 300A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Αποθέμα:
8763 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829285
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN0R7-25YLDX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
300A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
0.72mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
110.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8320 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
158W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56; Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN0R7
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
568-12952-1
5202-PSMN0R7-25YLDXTR
568-12952-2-DG
1727-2514-1
1727-2514-2
934069083115
568-12952-2
568-12952-6-DG
PSMN0R7-25YLDX-DG
1727-2514-6
568-12952-1-DG
568-12952-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK7E13-60E,127
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
PSMN4R4-80PS,127
MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
AUIRFS8405
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
