PSMN069-100YS,115
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PSMN069-100YS,115

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PSMN069-100YS,115-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Αποθέμα:

25329 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12918236
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PSMN069-100YS,115 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
72.4mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
645 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
56W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN069

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
PSMN069100YS115
568-5588-1-DG
1727-4631-2
568-5588-6-DG
1727-4631-1
568-5588-2-DG
934064536115
1727-4631-6
5202-PSMN069-100YS,115TR
568-5588-6
568-5588-1
568-5588-2

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

BUK6D81-80EX

MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN

nexperia

BUK762R0-40C,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

nexperia

BUK6D385-100EX

MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN

vishay-siliconix

SI4104DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO