Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN028-100YS,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN028-100YS,115-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
12315 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829802
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN028-100YS,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
42A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1634 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
89W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN028
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-5226-6
568-6543-6-DG
1727-5226-2
PSMN028-100YS,115-DG
568-6543-1-DG
568-6543-2-DG
1727-5226-1
568-6543-6
934064534115
5202-PSMN028-100YS,115TR
568-6543-2
568-6543-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMPB16XNEAX
PMPB16XNEA/SOT1220/SOT1220
PSMNR90-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
BUK7Y3R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
