Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN026-80YS,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN026-80YS,115-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
2820 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829710
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
vOfv
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN026-80YS,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
34A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1200 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
74W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN026
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-4278-6
568-4910-6-DG
568-4910-6
PSMN02680YS115
568-4910-1-DG
568-4910-2-DG
934063933115
568-4910-1
568-4910-2
5202-PSMN026-80YS,115TR
1727-4278-2
1727-4278-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK9Y12-55B,115
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
PHD9NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
BUK6607-75C,118
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK