Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN012-100YLX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN012-100YLX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 85A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
12831686
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN012-100YLX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
85A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7973 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
238W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN012
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
934069903115
5202-PSMN012-100YLXTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK962R8-30B,118
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
PHP33NQ20T,127
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
PSMN5R0-100ES,127
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK