Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMXB75UPEZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMXB75UPEZ-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Αποθέμα:
37351 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12831985
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMXB75UPEZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
608 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN1010D-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMXB75
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
568-12600-2-DG
568-12600-2
1727-2314-6
PMXB75UPEZ-DG
568-12600-1
5202-PMXB75UPEZTR
1727-2314-1
1727-2314-2
568-12600-6-DG
568-12600-1-DG
934067153147
568-12600-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMCM650VNEZ
MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP
PSMN1R6-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
NX2301PVL
MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB
