PMV88ENER
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMV88ENER

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMV88ENER-DG

Περιγραφή:

PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 2.2A (Ta) 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

7409 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974786
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMV88ENER Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
196 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
934664416215
5202-PMV88ENERTR
1727-PMV88ENERCT
1727-PMV88ENERTR
PMV88ENE
1727-PMV88ENERDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SIR4602LDP-T1-RE3

POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5

panjit

PJL9408_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

onsemi

NVTFWS8D1N08HTAG

80V T8 IN U8FL HEFET PACK

panjit

PJS6405_S1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M