PMV88ENEAR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMV88ENEAR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMV88ENEAR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 2.2A (Ta) 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

13632 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12917937
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMV88ENEAR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
196 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMV88

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
934661156215
1727-8668-2
1727-8668-1
5202-PMV88ENEARTR
1727-8668-6

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SUD50N06-09L-E3

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SIRA06DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3446ADV-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

vishay-siliconix

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6