PMV45EN2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMV45EN2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMV45EN2R-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 4.1A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

62436 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12828078
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMV45EN2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
209 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
510mW (Ta), 5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMV45EN2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
568-12593-2
568-12593-1
568-12593-2-DG
1727-2307-2
568-12593-1-DG
568-12593-6-DG
1727-2307-1
1727-2307-6
5202-PMV45EN2RTR
568-12593-6
934068494215

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PMV50ENEAR

MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB

nexperia

BUK3F00-50WDFE,518

IC 9675 AUTO 64QFP

nexperia

PSMN1R5-25YL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

nexperia

PMPB85ENEAX

MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6