Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMV35EPER
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMV35EPER-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Αποθέμα:
6435 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12831660
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMV35EPER Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
793 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMV35
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
568-13293-6-DG
1727-2729-6
NEXNEXPMV35EPER
1727-2729-2
1727-2729-1
568-13293-6
568-13293-2
5202-PMV35EPERTR
568-13293-2-DG
568-13293-1
568-13293-1-DG
2156-PMV35EPER-NEX
934070454215
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PH4840S,115
MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK56
BUK9615-100A,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
PMPB25ENEX
MOSFET DFN2020MD-6
