PMV30UN2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMV30UN2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMV30UN2R-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

148749 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12830077
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMV30UN2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
655 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
490mW (Ta), 5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMV30

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
568-12591-2-DG
568-12591-6
568-12591-1-DG
1727-2305-2
568-12591-2
1727-2305-1
568-12591-1
568-12591-6-DG
5202-PMV30UN2RTR
1727-2305-6
934068491215

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PSMN1R2-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

PSMN1R5-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

PMT21EN,115

MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223

nexperia

PSMNR90-40YLHX

MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56