PMV13XNEAR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMV13XNEAR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMV13XNEAR-DG

Περιγραφή:

PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 7.3A (Ta) 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

3671 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12959008
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMV13XNEAR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 8V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.3A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
931 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-PMV13XNEARDKR
1727-PMV13XNEARCT
934662625215
5202-PMV13XNEARTR
1727-PMV13XNEARTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microchip-technology

MSC035SMA170S

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268

renesas-electronics-america

NP50N04YUK-E1-AY

LOW VOLTAGE POWER MOSFET

vishay-siliconix

SQW44N65EF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

infineon-technologies

IPTG011N08NM5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8