Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMPB85ENEA/F,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMPB85ENEA/F,115-DG
Περιγραφή:
PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Αποθέμα:
12947368
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMPB85ENEA/F,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
305 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN2020MD-6
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NEXNEXPMPB85ENEA/F,115
2156-PMPB85ENEA/F,115-NEX
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
HTSUS
0000.00.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQI4N90TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRFB38N20DPBF
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
FDD3706
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
