Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMPB215ENEAX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMPB215ENEAX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Αποθέμα:
18500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12832485
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMPB215ENEAX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
215 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN2020MD-6
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMPB215
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-8340-2
1727-8340-1
934067477115
1727-8340-6
5202-PMPB215ENEAXTR
PMPB215ENEAX-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PH4030AL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
ATP206-TL-H
MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
PSMN7R8-100PSEQ
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
