PMPB12R7EPX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMPB12R7EPX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMPB12R7EPX-DG

Περιγραφή:

PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 8.7A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Αποθέμα:

11538 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12954184
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMPB12R7EPX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1638 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN2020M-6
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMPB12

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
5202-PMPB12R7EPXTR
934662612115
1727-PMPB12R7EPXDKR
1727-PMPB12R7EPXCT
1727-PMPB12R7EPXTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microchip-technology

APT12040JVR

MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227

onsemi

NTMFS024N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6405L

MOSFET P-CH 30V 15A/30A 8DFN

vishay-siliconix

SI4403BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO