PMN30XPX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMN30XPX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMN30XPX-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 5.2A (Ta) 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

171798 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12831845
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMN30XPX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1575 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SC-74, SOT-457
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMN30

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-2699-1
1727-2699-2
5202-PMN30XPXTR
568-13218-6-DG
1727-2699-6
568-13218-1-DG
568-13218-2-DG
PMN30XPX
568-13218-1
568-13218-2
934070095115
PMN30XPX-DG
PMN30XP
568-13218-6

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PSMN045-80YS,115

MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56

nexperia

PSMN4R2-30MLDX

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

nexperia

PH1530CL,115

MOSFET N-CH 30V LFPAK

nexperia

BUK6E3R2-55C,127

MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK