PMN30ENEAX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMN30ENEAX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMN30ENEAX-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 5.4A (Ta) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

21100 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12919567
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMN30ENEAX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
440 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SC-74, SOT-457
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMN30

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
5202-PMN30ENEAXTR
934660863115
1727-8681-6
1727-8681-2
1727-8681-1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI7388DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHF5N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220

vishay-siliconix

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC