PMN280ENEAX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMN280ENEAX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMN280ENEAX-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

3789 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12830956
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMN280ENEAX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
385mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
190 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SC-74, SOT-457
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMN280

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-8662-6
1727-8662-2
1727-8662-1
5202-PMN280ENEAXTR
934660499115

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PSMN3R5-80ES,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

nexperia

PMPB24EPX

MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6

nexperia

PSMN3R9-25MLC,115

MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33

nexperia

PMK50XP,518

MOSFET P-CH 20V 7.9A 8SO