Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMH850UPEH
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMH850UPEH-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2.23W (Tc) Surface Mount DFN0606-3
Αποθέμα:
4228 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12970165
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMH850UPEH Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
600mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
62.2 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN0606-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMH850
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
1727-PMH850UPEHDKR
935690961125
5202-PMH850UPEHTR
1727-PMH850UPEHCT
1727-PMH850UPEHTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJL9425_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJC7002H_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW7N04-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
