Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMDPB70EN,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMDPB70EN,115-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 3.5A 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Αποθέμα:
12918583
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMDPB70EN,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
57mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
130pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
510mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-UFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-HUSON (2x2)
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMDPB70
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
PMDPB70EN,115-DG
568-10761-6
568-10761-2
934066486115
568-10761-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SSM6N55NU,LF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
485
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SSM6N55NU,LF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLHS6376TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
148841
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLHS6376TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SUD50NP04-77P-T4E3
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
SIA920DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC70-6
SI7925DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
