Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PHB29N08T,118
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PHB29N08T,118-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
4735 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12827889
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PHB29N08T,118 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
75 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
11V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 14A, 11V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
810 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
88W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
PHB29N08
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
1727-3056-6
1727-PHB29N08T,118DKR
1727-PHB29N08T,118CT
PHB29N08T /T3
5202-PHB29N08T,118TR
568-2190-6
568-2190-2
1727-3056-1
1727-3056-1-DG
1727-3056-2
568-2190-1
1727-3056-2-DG
568-2190-1-DG
568-2190-2-DG
1727-3056-6-DG
568-2190-6-DG
934057125118
2156-PHB29N08T,118-NEX
1727-PHB29N08T,118TR
NEXNXPPHB29N08T,118
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK9222-55A,127
MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
PSMN016-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
MCG30N03-TP
MOSFET N-CH 30V 30A DFN3030
